利用STM32的FLASH模拟 EEPROM（F103）系列

     
 STM32的FLASH是用来存储主程序的，ST公司为了节约成本，没有加入 EEPROM，但是许多场合下我们需要用EEPROM；不过FLASH的容量还是可观的，我们可以利用FLASH模拟EEPROM。

   
  根据《STM32F10X闪存编程》中的介绍，FLASH除了保存用户代码的部分，其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据，信息块用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序（Bootloader）并锁死，用户无法更改。选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区。

   
 通常情况下程序也不会把FLASH写满；在没满的时候我们可以把最后一或两页用来模拟EEPROM；这样我们就可以不用在外部另外来加EEPROM了。下面是STM32F103中文手册关于FLASH的截图；由于我用的是STM32C8T6做的实验；手册中没有给STM32C8T6的FLASH的地址信息，容量是64K，可以算出第63页地址是0X800FC00-0X800FFFF。



                    





            


           

                          



                         



由于太晚了直接上代码：

头文件：
#ifndef  __ST_FLASH_H #define  __ST_FLASH_H /**@file StFlash.h   *@brief stm32
flash的读写操作   *    使用：   *        * 此文件主要是针对STM32F103系列的芯片，注意不同容量大小的芯片的地址范围不一样  
*        * 使用Read和Write函数进行读写，具体参数和返回值见函数说明     *        * 可以利用flash模拟EEPROM使用
  *    *@author  DHS（[email protected]）   *   */ #include "stm32f10x.h" #include
"stm32f10x_flash.h"
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
//用户根据自己的需要设置 #define STM32_FLASH_SIZE  64 //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K) #define
STM32_FLASH_WREN 1              //使能FLASH写入(0，不是能;1，使能)
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
#if STM32_FLASH_SIZE<256 #define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节 #else  #define
STM_SECTOR_SIZE 2048 #endif   //FLASH起始地址 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000
//STM32 FLASH的起始地址 //FLASH解锁键值   class STFLASH { private: bool mUseHalfWord;//
uint32_t mStartAddress;// public: STFLASH(uint32_t
startAddress=(0x08000000+1000),bool useHalfWord=true); //读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!) //返回值:对应数据. u16 ReadHalfWord(u32 faddr);
//WriteAddr:起始地址 //pBuffer:数据指针 //NumToWrite:半字(16位)数    void Write_NoCheck(u32
WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) ; //从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!) //pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.) void Write(u32 WriteAddr,u16
*pBuffer,u16 NumToWrite); //从指定地址开始读出指定长度的数据 //ReadAddr:起始地址 //pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数 void Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead) ; };
#endif

程序文件：
#include "StFlash.h" /**@file StFlash.h *@brief stm32 flash的读写操作 * 使用： * *
此文件主要是针对STM32F103系列的芯片，注意不同容量大小的芯片的地址范围不一样 * * 使用Read和Write函数进行读写，具体参数和返回值见函数说明
* * 可以利用flash模拟EEPROM使用 * *@author DHS（[email protected]） * */ u16
STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节 STFLASH::STFLASH(uint32_t
startAddress,bool useHalfWord) {
if(startAddress%STM_SECTOR_SIZE!=0)//不是页的开始,将开始处设置为下一个页开始的地方
startAddress+=(STM_SECTOR_SIZE-(startAddress%STM_SECTOR_SIZE));
mStartAddress=startAddress; mUseHalfWord=useHalfWord; } //读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!) //返回值:对应数据. u16 STFLASH:: ReadHalfWord(u32 faddr) {
return *(vu16*)faddr; } //WriteAddr:起始地址 //pBuffer:数据指针 //NumToWrite:半字(16位)数
void STFLASH::Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u16 i;
for(i=0;i<NumToWrite;i++) { FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
WriteAddr+=2;//地址增加2. } } //从指定地址开始写入指定长度的数据 //WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针 //NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.) void STFLASH::Write(u32
WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u32 secpos; //扇区地址 u16 secoff;
//扇区内偏移地址(16位字计算) u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算) u16 i; u32 offaddr;
//去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁 offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围 while(1) {
Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据 { if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
} if(i<secremain)//需要擦除 {
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制 { STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i]; }
Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}else Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了 else//写入未结束 { secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0 pBuffer+=secremain; //指针偏移 WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完 else
secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了 } }; FLASH_Lock();//上锁 } //从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址 //pBuffer:数据指针 //NumToWrite:半字(16位)数 void STFLASH::Read(u32
ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead) { u16 i; for(i=0;i<NumToRead;i++) {
pBuffer[i]=ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节. ReadAddr+=2;//偏移2个字节. } }
main文件：
#include "stm32f10x.h" #include "StFlash.h"/要写入到STM32 FLASH的字符串数组 const u8
TEXT_Buffer[]={"Flash_test"}; #define SIZE sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度 #define
FLASH_SAVE_ADDR 0X0800FC00 //设置FLASH
保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000) u8 datatemp[SIZE]; STFLASH
flash1;// int main() { SysTick_Config(72000);
flash1.Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);//写数据，第一次下载程序到32，第二次注释掉此行，断电重新编译下载
//keil watch查看datatemp数组的数据正是之前写进去的数据
flash1.Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);//读数据 while(1) { } }

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